Transístores IBM a 100 GHz

Transístores IBM a 100 GHz

26 de Fevereiro de 2010 1 Por Tiago

Segundo a Lei de Moore, o número de transístores dos chips, teria um aumento de 100%, pelo mesmo custo, a cada período de 18 meses. Esta profecia foi concretizada em 1965, pelo então presidente da Intel, Gorden E. Moore. Mas nos últimos anos, começou-se a questionar tal previsão.

O silício, é o material usado actualmente nos transístores dos chips mas, de há uns anos para cá, esta tecnologia parecia estar a estagnar, devido à limitação na frequência máxima dos transístores de silício, que não passam dos 4 a 5GHz.

Mas o grafeno promete dar continuidade à previsão feita por Moore. Por definição, grafeno é uma folha plana de átomos de carbono densamente compactados e com a espessura de apenas um átomo, reunidos em uma estrutura cristalina hexagonal, e uma mobilidade de electrões, cerca de 100 vezes superior. Portanto, a substituição do silício pelo grafeno, parece natural.

A IBM demonstrou que é possível chegar aos 26 GHz com transístores de grafeno a medir 150 nanómetros, cerca de 5 vezes maiores que os actuais transístores de silício. E afirma, também, ser possível chegar aos 100GHz. Teoricamente este material poderá chegar aos impressionantes 10 nanómetros indo além dos 20 nanómetros que, teoricamente, era o tamanho limite de um transístor.

Apesar de não passar se pura especulação, calcula-se ainda que, a frequência dos transístores de grafeno aumenta, com a diminuição do seu tamanho. Assim sendo, podemos mesmo chegar à casa dos THz, quando os tamanhos se aproximarem dos limites físicos da matéria.