Nova tecnologia ReRAM abre portas às futuras memórias super-rápidas

Nova tecnologia ReRAM abre portas às futuras memórias super-rápidas

21 de Maio de 2012 2 Por Tiago

Um grupo de investigadores da Universidade College London (UCL) tem vindo a desenvolver um novo tipo de memória super-rápida, com base na tecnologia ReRAM, que prometem velocidades 100 vezes superiores às das atuais memórias Flash NAND.

O segredo do chip está na sua composição, este é totalmente composto por filamentos de óxido de silício, que melhoram a resistência e não requerem um funcionamento em vácuo, tornando a sua produção bastante mais barata.

Este chip pode ser configurado como um Memristor, ou um dispositivo que lida tanto com o processamento como com o armazenamento de dados. Isto graças à sua capacidade de alternar entre diferentes estados de condutividade.

Segundo Tony Kenyon, investigador da UCL, o chip de óxido de silício é muito mais eficiente que outros modelos ReRAM e necessita apenas de um milésimo da energia utilizada pelas memórias Flash NAND.

A equipa de investigadores tem vindo a explorar as propriedades resistivas desta tecnologia, utilizando-as não só para a construção de memórias, mas também para o desenvolvimento dos futuros processadores para computador e ecrãs táteis transparente para dispositivos móveis.

Entretanto, empresas como a Elpida, Sharp e Panasonic esperam começar a desenvolver, o mais rapidamente possível, chips de memórias com base na tecnologia ReRAM de óxido de silício.

Fonte: Phys.org